電力電子

低溫下工作的碳納米管生長裝置

英國色累納米裝置公司開發(fā)出一種碳納米管生長裝置，它可用于重復(fù)地生長出具一定外形的碳納米管，而且可...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：PDF下載次數(shù)：383大?。?4.71KB發(fā)布時(shí)間：2009-03-22

基于CMOS的開關(guān)電容DC-DC降壓變換器

采用兩個(gè)單端開關(guān)電容變換器反相并聯(lián)聯(lián)結(jié)，降低了輸出電壓波紋。利用電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電壓驅(qū)動(dòng)MOS開關(guān)管，避...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：340大?。?37.88KB發(fā)布時(shí)間：2009-03-19

單板電磁兼容（EMC）的設(shè)計(jì)

這篇文章討論了Board-Level的電磁兼容設(shè)計(jì)，包括元器件的選擇，電路 的設(shè)計(jì)及印刷電路板的layout[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：380大?。?72.25KB發(fā)布時(shí)間：2009-03-16

有源箝位諧振直流環(huán)逆變器的PWM控制方案

提出了一種基于雙幅有源箝位諧振直流環(huán)節(jié)逆變技術(shù)的脈寬調(diào)制（PWM）控制方案，以改變傳統(tǒng)諧振直流環(huán)節(jié)逆...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：400大小：165.09KB發(fā)布時(shí)間：2009-02-26

富士 1MBI600PX-140 IGBT模塊資料

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標(biāo)簽：格式：pdf下載次數(shù)：949大?。?18.99KB發(fā)布時(shí)間：2009-02-07

富士 2MBI300P-140 IGBT模塊資料

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富士 2MBI200PB-140 IGBT模塊資料

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富士 2MBI150PC-140 IGBT模塊資料

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標(biāo)簽：格式：pdf下載次數(shù)：462大小：133.58KB發(fā)布時(shí)間：2009-02-07

富士 2MBI100PC-140 IGBT模塊資料

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富士 2MBI75P-140 IGBT模塊資料

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標(biāo)簽：格式：pdf下載次數(shù)：462大?。?32.29KB發(fā)布時(shí)間：2009-02-07