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晶體硅太陽(yáng)電池弱光下的開(kāi)路電壓

本文討論了弱光下影響晶體硅太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓的主要因素，得出要提高弱光下的開(kāi)路電壓應(yīng)主陽(yáng)電池的并...[查看詳情]

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晶體硅薄膜太陽(yáng)電池的襯底材料—顆粒硅帶（SSP）的制備

晶體硅薄膜太陽(yáng)電池（CSiTF-Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells）由于具有降低制造成本的空間，...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池的氮化硅表面鈍化研究

為了提高晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，研究了用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）的SiNx：H作為晶體硅...[查看詳情]

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非晶薄膜三結(jié)太陽(yáng)能發(fā)電板

介紹非晶薄膜及太陽(yáng)能發(fā)電板。[查看詳情]

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晶體硅薄膜電池制備技術(shù)及研究現(xiàn)狀

本文分別從這兩個(gè)方向綜述了目前國(guó)外晶體硅薄膜電池制備技術(shù)的最新進(jìn)展，最新實(shí)驗(yàn)室研究結(jié)果。報(bào)導(dǎo)了晶...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池絲網(wǎng)印刷電極接觸電阻及其測(cè)量

金屬電極與硅的接觸電阻是影響太陽(yáng)電池填充因子和短路電流進(jìn)而影響光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一，本文研...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池TiO2與SiN減反射膜對(duì)比研究

采用多層膜的反射理論及數(shù)值計(jì)算對(duì)比了TiO2和SiN減反射膜用于晶體硅太陽(yáng)電池對(duì)其性能的影響，給出了優(yōu)化...[查看詳情]

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1 kW晶體硅光伏方陣戶外測(cè)試系統(tǒng)

介紹了一種實(shí)用的1 kW晶體硅光伏方陣戶外測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用T1公司TMS320LFx系列的新成員TMS320LF2407...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池表面鈍化的研究

文章從理論上分析了太陽(yáng)電池的表面復(fù)合及重?fù)诫s效應(yīng)。在實(shí)驗(yàn)上采用二氧化硅作為鈍化膜，比較了兩種不同...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池鋁背場(chǎng)的研究

文章比較了兩種不同鋁漿在相同的燒結(jié)條件下，得出兩種不同鋁漿的燒結(jié)情況，通過(guò)電鏡掃描分析了兩種鋁漿...[查看詳情]

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