中科院完成適用于多種EMS傳感器件研發(fā)工作

時(shí)間:2016-05-10

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:目前,中科院微電子所在現(xiàn)有8英寸硅工藝線基礎(chǔ)上,已經(jīng)形成了適用于多種MEMS傳感器件(例如高精度兩軸、三軸加速度計(jì),高度計(jì),壓力、紅外熱敏等器件)加工的Post CMOS-MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝,并實(shí)現(xiàn)了該工藝技術(shù)平臺(tái)化的開發(fā),可為MEMS設(shè)計(jì)單位提供產(chǎn)品工藝研發(fā)與批量加工服務(wù)。

近日,中科院微電子研究所科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合江蘇艾特曼電子科技有限公司,借助中科院微電子所8英寸CMOS工藝平臺(tái),完成了“高精度三軸加速度計(jì)”產(chǎn)品工藝的開發(fā)與驗(yàn)證,經(jīng)使用測試,器件性能表現(xiàn)良好,符合設(shè)計(jì)預(yù)期,可為MEMS設(shè)計(jì)單位提供產(chǎn)品服務(wù)。

目前,中科院微電子所科研人員針對(duì)產(chǎn)業(yè)界對(duì)MEMS代工的需求,以高精度三軸加速度計(jì)開發(fā)為牽引展開攻關(guān),致力于在現(xiàn)有8英寸硅工藝線上,實(shí)現(xiàn)與CMOS工藝兼容的通用MEMS加工平臺(tái)技術(shù),成功開發(fā)出大深寬比MEMS結(jié)構(gòu)刻蝕、MEMS與ASIC晶圓堆疊、TSV電學(xué)連接及晶圓級(jí)蓋帽鍵合封裝等關(guān)鍵工藝技術(shù)的量產(chǎn),最終實(shí)現(xiàn)了TSV的ASIC晶圓、MEMS結(jié)構(gòu)晶圓及蓋帽晶圓的三層鍵合工藝,順利交付首款三軸加速度計(jì)產(chǎn)品。

目前,中科院微電子所在現(xiàn)有8英寸硅工藝線基礎(chǔ)上,已經(jīng)形成了適用于多種MEMS傳感器件(例如高精度兩軸、三軸加速度計(jì),高度計(jì),壓力、紅外熱敏等器件)加工的PostCMOS-MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝,并實(shí)現(xiàn)了該工藝技術(shù)平臺(tái)化的開發(fā),可為MEMS設(shè)計(jì)單位提供產(chǎn)品工藝研發(fā)與批量加工服務(wù)。

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