【2018年半導體行業(yè)資本性支出預測首次超過1000億美元】ICInsights將今年半導體的全年支出增長預測從8％上調(diào)至14％。
ICInsights最近發(fā)布了其2018年5月更新的McClean報告。本次更新包括了一季度前25家半導體供應商，2018年第一季度集成電路行業(yè)市場結(jié)果的討論以及公司對2018年資本支出預測的更新。
總體而言，2018年資本性支出的實際結(jié)果比ICInsights提出的預測結(jié)果更為積極，具體可見三月更新的麥克林報告2018（MR18），ICInsights預測今年半導體行業(yè)資本支出增長8％。然而，如圖1所示，ICInsights已將其對2018年資本支出的預期上調(diào)6個百分點至14％的增幅。如果的確出現(xiàn)這種增長，那么這將是半導體行業(yè)資本支出首次突破1000億美元。全球2018年資本性支出預測數(shù)據(jù)比2016年的數(shù)據(jù)高出53％。
盡管三星表示今年還沒有全年的資本支出預測，但它確實表示，2018年半導體資本性支出的支出與2017年相比“更少”，具體花費為242億美元。然而，它2018年第一季度的資本支出，三星花了$67.2億美元在資本開支為它的半導體部門，小幅高于前三個季度的平均值。這個數(shù)字幾乎是2016年第一季度花費的4倍！過去四個季度，三星為其半導體集團斥資266億美元的資本性支出。
ICInsights估計今年三星半導體集團資本支出將達到200億美元，比2017年減少42億美元。然而，鑒于今年的支出開始強勁，目前看起來目前存在更大的下行潛力。
由于DRAM和NAND閃存市場仍然非常強勁，預計SK海力士今年的資本支出將增至115億美元，比2017年的81億美元增長42％。今年SK海力士增加的支出將主要專注于在韓國清州推出兩家大型存儲器工廠M15--一家3DNAND閃存制造工廠，并在中國無錫擴建其龐大的DRAM工廠。清州工廠在今年年底前開放，無錫晶圓廠也計劃在今年年底前開放，比原計劃的2019年初開工日早幾個月。
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