在新制程工藝推進(jìn)速度上，臺(tái)積電已經(jīng)徹底無(wú)敵，Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。
據(jù)新消息，臺(tái)積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，雖然只是風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)和小規(guī)模量產(chǎn)，但也具有里程碑式的意義。
很自然的，臺(tái)積電會(huì)在明年大規(guī)模量產(chǎn)3nm，初期產(chǎn)能每月大約3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年可達(dá)每月10.5萬(wàn)塊晶圓，趕上目前5nm的產(chǎn)能，而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬(wàn)塊晶圓。
根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù)，3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70%，性能可提升11%，或者功耗可降低27%。
據(jù)悉，蘋(píng)果將是臺(tái)積電3nm的核心客戶之一，預(yù)計(jì)會(huì)用于A17系列芯片，而有趣的是，Intel也會(huì)將部分處理器外包給臺(tái)積電3nm。
AMD、聯(lián)發(fā)科、賽靈思(已被AMD收購(gòu))、Marvell、博通、高通等，自然也都會(huì)跟上臺(tái)積電3nm。
相比之下，三星3nm激進(jìn)地采用了GAA環(huán)繞柵極晶體管，如能順利實(shí)現(xiàn)提升更大，但是難度也大得多，預(yù)計(jì)要明年才能投產(chǎn)。
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