中芯國(guó)際或以40nm為華為生產(chǎn)芯片

時(shí)間:2021-07-26

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導(dǎo)語(yǔ):多家媒體報(bào)道指出中芯國(guó)際或許將以40nm工藝為華為代工生產(chǎn)OLED驅(qū)動(dòng)芯片,考慮到此前眾所周知的原因,這或許代表著中芯國(guó)際的40nm工藝已實(shí)現(xiàn)完全獨(dú)立自主。

  早在2019年的時(shí)候,由于眾所周知的原因,臺(tái)積電在面臨巨大壓力的情況下,強(qiáng)調(diào)它的7nm以及更先進(jìn)的5nm工藝采用美國(guó)技術(shù)的比例低于10%,因此可以繼續(xù)為華為代工生產(chǎn)芯片,中芯國(guó)際則以14nm工藝為華為代工生產(chǎn)芯片。

  不過(guò)到了2020年9月15日后,由于美國(guó)的原因,所有采用美國(guó)技術(shù)的芯片制造廠都不能為華為代工生產(chǎn)芯片,由此臺(tái)積電、中芯國(guó)際都先后表示無(wú)法再為華為代工生產(chǎn)芯片,華為被迫依靠芯片庫(kù)存維持通信設(shè)備和手機(jī)等業(yè)務(wù)的運(yùn)作。

  此時(shí)中國(guó)業(yè)界真正認(rèn)識(shí)到了發(fā)展獨(dú)立自主芯片制造工藝的重要性,當(dāng)時(shí)有媒體引述相關(guān)的專家指出中國(guó)完全獨(dú)立自主的最先進(jìn)芯片制造工藝已可以做到55nm,而那時(shí)候臺(tái)積電和三星均已投產(chǎn)5nm工藝,可見(jiàn)中國(guó)完全獨(dú)立自主的芯片制造工藝與海外的差距。

  面對(duì)這種差距,中國(guó)各個(gè)行業(yè)開(kāi)始迅速行動(dòng)起來(lái),推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,加速先進(jìn)芯片制造工藝的獨(dú)立自主發(fā)展。

  如今一年不到的時(shí)間,中芯國(guó)際就有可能以40nm工藝為華為代工生產(chǎn)芯片,說(shuō)明完全獨(dú)立自主的國(guó)產(chǎn)芯片制造工藝制程已取得長(zhǎng)足的進(jìn)展。

  按照這樣的進(jìn)度,或許到了明年中國(guó)就能實(shí)現(xiàn)28nm工藝的獨(dú)立自主,這對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)將極具意義的芯片制造工藝,因?yàn)?8nm工藝是成熟工藝制程,應(yīng)用于諸多行業(yè),目前汽車(chē)芯片普遍采用的工藝正是28nm工藝。

  對(duì)于中國(guó)獨(dú)立自主的芯片制造工藝所取得的突破,證明了此前歐洲業(yè)界指出的對(duì)中國(guó)采取的不恰當(dāng)措施是不合適的,這會(huì)加速中國(guó)先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展,芯片制造工藝所取得的成績(jī)正是如此,實(shí)現(xiàn)完全獨(dú)立自主的芯片制造工藝制程,代表著中國(guó)的芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈已進(jìn)一步完善,技術(shù)也得到了大幅的提升。

  中國(guó)向來(lái)強(qiáng)調(diào)艱苦奮斗、自立自強(qiáng)的精神,如今在芯片制造工藝上無(wú)疑體現(xiàn)了這一點(diǎn),面對(duì)諸多的困難,中國(guó)各個(gè)行業(yè)的共同努力,僅用9個(gè)月時(shí)間就將獨(dú)立自主的芯片制造工藝提升一個(gè)等級(jí),可以預(yù)期中國(guó)在其他先進(jìn)技術(shù)方面也將加快獨(dú)立自主的發(fā)展。

  改革開(kāi)放以來(lái),中國(guó)以來(lái)料加工的方式發(fā)展中國(guó)制造業(yè),用了32年時(shí)間發(fā)展成為全球最大制造國(guó),中國(guó)也擺脫了依靠出賣(mài)勞動(dòng)力賺取血汗錢(qián)的階段,如今中國(guó)正積極推動(dòng)高端制造業(yè)的發(fā)展,先進(jìn)工藝的發(fā)展預(yù)示著中國(guó)高端制造業(yè)必將取得預(yù)期的成績(jī)。

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