中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱：中天弘宇)于2021年8月22日在上海召開(kāi)“自主原創(chuàng)先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)”暨90nm BCD工藝平臺(tái)上的MTP IP產(chǎn)品的發(fā)布會(huì)。中國(guó)工程院院士倪光南等專家，上海市、浦東新區(qū)等有關(guān)部門(mén)，國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)等行業(yè)組織，上?？苿?chuàng)投、張江集團(tuán)、浦東科創(chuàng)等有關(guān)方面，華虹集團(tuán)、上海集成電路研發(fā)中心、新思科技、瑞薩電子、恩智浦、博世，南芯半導(dǎo)體、英唐智控、華大半導(dǎo)體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等一批產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)，參加了中天弘宇本次的技術(shù)發(fā)布會(huì)。

　　倪光南院士在視頻致辭中，高度評(píng)價(jià)中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術(shù)是一項(xiàng)重大發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)器底層技術(shù)零的突破。希望中天弘宇與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力，設(shè)計(jì)創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品，提高自主原創(chuàng)存儲(chǔ)器的市場(chǎng)份額，解決存儲(chǔ)器的被動(dòng)局面。南芯半導(dǎo)體、英唐智控、華大半導(dǎo)體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等集成電路企業(yè)表示了對(duì)中天弘宇先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)關(guān)注和合作意愿。

　　中天弘宇張佳董事長(zhǎng)回顧中天弘宇進(jìn)入集成電路行業(yè)七年來(lái)的奮斗歷程，對(duì)方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹先生介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義，以及與傳統(tǒng)技術(shù)的區(qū)別及優(yōu)勢(shì)，并對(duì)中天弘宇未來(lái)技術(shù)及產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃做了介紹。

　　本次發(fā)布會(huì)還邀請(qǐng)新思科技中國(guó)董事長(zhǎng)兼全球資深副總裁葛群、國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)中國(guó)區(qū)總裁居龍、南芯半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)劉崇和資深工藝專家官浩等，共同研討了國(guó)內(nèi)先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展?fàn)顩r，針對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈融合、工藝實(shí)現(xiàn)、市場(chǎng)推廣、融資策略等方面，提出了真知灼見(jiàn)。

　　技術(shù)優(yōu)勢(shì)及背景資料

　　中天弘宇創(chuàng)造性地對(duì)閃存存儲(chǔ)進(jìn)行了重構(gòu)，突破了20多年來(lái)阻礙閃存存儲(chǔ)技術(shù)縮微擴(kuò)容發(fā)展的瓶頸，使得其在同樣的工藝條件下，可以做到大容量、小面積、低功耗，且有效的解決大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、運(yùn)行一體化的技術(shù)性難題，為人工智能、AI、新型FPGA等發(fā)展，提供可靠、高效的存儲(chǔ)技術(shù)解決方案。

　　中天弘宇以“二次電子倍增注入浮柵”原理為基礎(chǔ)，以自主、原創(chuàng)、可控的知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利發(fā)明為契機(jī)，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域原創(chuàng)專利“零的突破”，并進(jìn)一步拓展應(yīng)用領(lǐng)域及國(guó)際市場(chǎng)，協(xié)同EDA工具、應(yīng)用設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試一體化發(fā)展，為全球數(shù)字信息化浪潮提供優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)及存算一體化解決方案。

　　中天弘宇研發(fā)成功的新型快閃存儲(chǔ)器具有以下突出的特性和前景：

　　■ 完整自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系

　　■ 先進(jìn)高效閃存研發(fā)成果

　　■ 創(chuàng)新存算一體解決方案

　　■ 關(guān)鍵環(huán)節(jié)配合協(xié)同發(fā)展

　　中天弘宇充分運(yùn)用“二次電子倍增注入浮柵” 的物理現(xiàn)象，并利用其進(jìn)行了創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，初步構(gòu)建了擁有國(guó)內(nèi)、國(guó)際完整自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利的系列新型高性能快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品，“在非易失存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)賴?guó)際首創(chuàng)技術(shù)”。該項(xiàng)發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)申請(qǐng)了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利，其中多項(xiàng)核心專利已獲批，專利體系化建設(shè)在不斷完善之中。

　　中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術(shù)是一項(xiàng)前所未有的創(chuàng)新實(shí)踐，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)在90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)流片成功是一個(gè)重要的里程碑。中天弘宇還將進(jìn)一步積聚集成電路全行業(yè)工程技術(shù)專家的智慧，爭(zhēng)取應(yīng)用和市場(chǎng)持續(xù)不斷的支持，開(kāi)拓存儲(chǔ)技術(shù)的運(yùn)用范圍，擴(kuò)大存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，為國(guó)家創(chuàng)造更多自主原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。