如今哈工大公布新成果，光刻機(jī)關(guān)鍵技術(shù)突破，很可能國產(chǎn)7nm手機(jī)芯片要來了!那么究竟發(fā)生了什么?

　　眾所周知，我國由于半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展比較晚，所以針對于芯片方面并沒有優(yōu)勢，反觀老美基于20世紀(jì)“科學(xué)無國界”的口號，招募到的人才替其建立了美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位。

　　而由于在70年內(nèi)發(fā)展迅速，不僅成為了世界第二經(jīng)濟(jì)體，還在軍事實(shí)力、尖端科技和綜合國力均排行第二，僅次于美國，成績輝煌閃耀。

　　這令老美不得不感到忌憚，因此其為了鞏固自己國際主導(dǎo)地位的身份，防止被我國在科技領(lǐng)域超越，對大陸進(jìn)行了多次且多方面限制。

　　比如說華為、中芯國際、長江存儲(chǔ)和中興通訊等中企均受到過限制，不過最重要的還是半導(dǎo)體領(lǐng)域的斷供限制。

　　早在2018年，ASML的13.5nm波長EUV光刻機(jī)在市面上首次出現(xiàn)，中芯國際也是直接選擇了訂購一臺。

　　但很可惜，基于老美在EUV光刻機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)“EUV LCC聯(lián)盟”的主導(dǎo)地位，加上美零件與核心技術(shù)在EUV光刻機(jī)產(chǎn)品中占比超過30%，所以最終老美并不同意將EUV光刻機(jī)向中國市場供應(yīng)。

　　以至于如今國內(nèi)代工廠商沒有任何一款7nm以下制程的電子硅基芯片進(jìn)行量產(chǎn)，整體量產(chǎn)能力也并沒有突破至先進(jìn)工藝制程。

　　可令人憤然的是老美再次盯上了大陸市場的DUV光刻機(jī)供應(yīng)渠道，聯(lián)合日本與荷蘭組成“美日荷聯(lián)盟”，通過世界名列前茅的ASML、東京電子、尼康對中國市場進(jìn)行斷供。

　　在確定協(xié)議之后，ASML率先宣布協(xié)議達(dá)成，并將會(huì)在一段時(shí)間后落地實(shí)施，所以呼吁中企們加速購入DUV光刻機(jī)，由此可見ASML對限制出貨的態(tài)度。

　　不過即便ASML沒有被限制，可以一直實(shí)現(xiàn)供應(yīng)，那終究不是自主可控的，存在著“卡脖子”的風(fēng)險(xiǎn)，所以自主研發(fā)才是“正道”。

　　那么好消息來了，如今哈爾濱工業(yè)大學(xué)公布新突破，那就是“高速超精密激光干涉儀”，這項(xiàng)技術(shù)能夠解決DUV光刻機(jī)的關(guān)鍵問題，屬于是整體的核心部分。由此可見，“高速超精密激光干涉儀”確實(shí)是不小的突破，帶來了我國半導(dǎo)體制造設(shè)備自研的一大推進(jìn)。

　　這項(xiàng)技術(shù)還得到了全世界認(rèn)可，榮獲世界光子大會(huì)“金隧獎(jiǎng)”的金獎(jiǎng)，并且還排行在金獎(jiǎng)第一的位置，從這一點(diǎn)上就可以看出該技術(shù)的重要性了。

　　知情郎認(rèn)為按照目前國產(chǎn)光刻機(jī)部件的生產(chǎn)，針對于DUV光刻機(jī)的研發(fā)推進(jìn)相信已經(jīng)不遠(yuǎn)了，或許我國半導(dǎo)體領(lǐng)域也將很快踏入先進(jìn)制程芯片領(lǐng)域。

　　值得一提的是其實(shí)也可以通過別的方式實(shí)現(xiàn)7nm制程芯片的量產(chǎn)，此前臺積電曾通過DUV光刻機(jī)進(jìn)行“多重曝光”工序進(jìn)行實(shí)現(xiàn)7nm工藝芯片制造。

　　基于國內(nèi)近幾年的“多重曝光”技術(shù)已經(jīng)頗為完善，目前正準(zhǔn)備使用在14nm制程DUV光刻機(jī)上，將波長進(jìn)行壓縮，實(shí)現(xiàn)對7nm制程芯片的制造甚至量產(chǎn)。

　　加上中芯國際具備7nm制程量產(chǎn)技術(shù)，配合哈工大的半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)支持，相信年內(nèi)可能將會(huì)迎來國產(chǎn)7nm手機(jī)Soc芯片。

　　雖說目前針對于手機(jī)Soc芯片這方面，7nm制程并不算是高水平，較比臺積電和三星也有一定程度的差距，但是踏入7nm制程先進(jìn)工藝無疑是中企在半導(dǎo)體領(lǐng)域的一種里程碑式的進(jìn)步。

　　當(dāng)然，目前電子硅基芯片這條賽道已經(jīng)快要達(dá)到盡頭，根據(jù)摩爾定律顯示，此類芯片的物理極限是1nm制程。

　　這意味著如今臺積電的3nm工藝之后，預(yù)計(jì)只有2nm和1nm，并且代工價(jià)格將進(jìn)一步提升，面對走進(jìn)“死胡同”的賽道，跟上其工藝發(fā)展無疑只是時(shí)間問題。

　　反觀全新的光子芯片、量子芯片、量子計(jì)算機(jī)等方面均已經(jīng)有著小規(guī)模突破，甚至部分領(lǐng)域已經(jīng)有著領(lǐng)先水平。

　　總體來說，中企們在雙工件臺，物鏡、光源，掩膜板、光刻膠等半導(dǎo)體核心系統(tǒng)和材料等方面的突破，證明了我們在芯片制造自主研發(fā)的道路上越走越遠(yuǎn)、越來越自信，在國內(nèi)企業(yè)團(tuán)結(jié)合作，分工明確的環(huán)境下，在國家的大力扶持之下，國產(chǎn)芯片的未來是可期的。