據(jù)韓媒《Etnews》引述業(yè)內(nèi)人士29日透露，三星電子正在將平澤第一工廠的NAND閃存生產(chǎn)線從128層工藝轉(zhuǎn)換為236層工藝。這是三星電子減少庫(kù)存較多的128層NAND閃存的產(chǎn)量，專注于尖端產(chǎn)品的策略。
據(jù)此前報(bào)道，三星已制定生產(chǎn)計(jì)劃，目標(biāo)年底NAND庫(kù)存正常化，即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產(chǎn)的主要目標(biāo)是128層第6代V-NAND(V6)，該產(chǎn)品庫(kù)存較多。
雖然具體規(guī)模尚未確認(rèn)，但據(jù)悉三星電子將改變平澤的許多P1NAND生產(chǎn)線。多位熟悉三星情況的業(yè)內(nèi)人士表示，“據(jù)了解，轉(zhuǎn)產(chǎn)政策已經(jīng)確定，工作已經(jīng)開始”。
P1工廠是三星電子的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)能為每月10萬(wàn)片DRAM和19萬(wàn)片NAND基于12英寸(300毫米)晶圓。
據(jù)稱，三星正試圖減少產(chǎn)品產(chǎn)量，并將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到目前商用產(chǎn)品中最先進(jìn)的236層NAND。由于半導(dǎo)體工藝轉(zhuǎn)換需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，設(shè)備更換期間的減產(chǎn)效果顯著，意味著可以快速減少128層NAND的庫(kù)存。
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號(hào)