近期，媒體報(bào)道三星電子就計(jì)劃2024年推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT(三星高級(jí)互連技術(shù))，能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
據(jù)悉，三星SAINT將被用來(lái)制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術(shù)，分別是垂直堆棧SRAM和CPU的SAINT S;CPU、GPU等處理器和DRAM內(nèi)存垂直封裝的SAINT D;應(yīng)用處理器(AP)堆棧的SAINT L。
目前，三星已經(jīng)通過(guò)驗(yàn)證測(cè)試，但計(jì)劃與客戶進(jìn)一步測(cè)試后，將于明年晚些時(shí)候擴(kuò)大其服務(wù)范圍，目標(biāo)是提高數(shù)據(jù)中心AI芯片及內(nèi)置AI功能手機(jī)應(yīng)用處理器的性能。
近年，隨著半導(dǎo)體元件微縮制程逼近物理極限，3D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)備受業(yè)界重視，晶圓代工大廠也持續(xù)發(fā)力。除了三星之外，臺(tái)積電、英特爾與聯(lián)電亦在積極布局3D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)。
其中，臺(tái)積電正大手筆測(cè)試和升級(jí)3D芯片間堆疊技術(shù)SoIC，以滿足蘋(píng)果和英偉達(dá)等客戶需求;英特爾已經(jīng)開(kāi)始使用新一代 3D芯片封裝技術(shù)Fooveros制造先進(jìn)芯片;聯(lián)電則于本月初推出晶圓對(duì)晶圓(W2W)3D IC項(xiàng)目，利用硅堆疊技術(shù)提供高效整合內(nèi)存和處理器的尖端解決方案。
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