我國芯片研究論文以絕對優(yōu)勢處于領(lǐng)先地位

時間:2025-03-11

來源:電子技術(shù)應(yīng)用

導(dǎo)語:3 月 4 日消息,美國喬治敦大學(xué)“新興技術(shù)觀察項目(ETO)”3 日在其網(wǎng)站發(fā)布一份報告稱,2018 年至 2023 年期間,全球共發(fā)布了約 47.5 萬篇與芯片設(shè)計和制造相關(guān)的論文。

  3 月 4 日消息,美國喬治敦大學(xué)“新興技術(shù)觀察項目(ETO)”3 日在其網(wǎng)站發(fā)布一份報告稱,2018 年至 2023 年期間,全球共發(fā)布了約 47.5 萬篇與芯片設(shè)計和制造相關(guān)的論文。這一數(shù)據(jù)基于包含英文標(biāo)題或摘要的文章統(tǒng)計,未涵蓋無英文摘要的非公開研究。整體來看,芯片研究論文在這五年間增長了 8%,盡管這一增速不及人工智能(AI)或大型語言模型(LLM)等熱門研究領(lǐng)域,但芯片設(shè)計與制造研究仍保持了穩(wěn)定的增長態(tài)勢。

  報告稱,在芯片設(shè)計與制造論文領(lǐng)域,中國以絕對優(yōu)勢領(lǐng)先于其他國家。數(shù)據(jù)顯示,其中 34% 的論文有來自中國機構(gòu)的作者參與,15% 的論文有美國作者參與,18% 的論文有歐洲作者參與。需要注意的是,部分文章未提供作者機構(gòu)和國家信息,且分析未包括非英文摘要的文章,這可能對統(tǒng)計結(jié)果產(chǎn)生一定影響。盡管如此,中國在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位依然十分明顯。在高被引文章(定義為每年發(fā)表文章中被引用次數(shù)排名前 10% 的文章)中,中國作者的比例高達 50%,遠超美國(22%)和歐洲(17%)。韓國和德國分別位列第三和第四位,但與中、美仍有較大差距。

  在芯片研究論文產(chǎn)出最多的十大機構(gòu)中,有九家來自中國,其中中國科學(xué)院以 2018-2023 年期間發(fā)布的 14,387 篇文章位居榜首。這一統(tǒng)計僅涵蓋英文文章,若將中文文章納入統(tǒng)計,中國機構(gòu)的產(chǎn)出數(shù)量可能更高。在高被引文章的統(tǒng)計中,中國機構(gòu)更是占據(jù)了前八名。以引用次數(shù)排名前 10% 的芯片設(shè)計與制造論文數(shù)量為指標(biāo),全球領(lǐng)先的機構(gòu)依次為中國科學(xué)院、中國科學(xué)院大學(xué)和清華大學(xué)。此外,新加坡國立大學(xué)和法國國家科學(xué)研究中心(CNRS)也是該領(lǐng)域的重要研究機構(gòu),后者在文章數(shù)量上位列全球第三。

  通過對高被引文章的分析,可以發(fā)現(xiàn)芯片設(shè)計與制造領(lǐng)域的研究熱點。在 2018-2023 年期間被引用次數(shù)最高的十篇芯片設(shè)計與制造文章中,許多研究聚焦于半導(dǎo)體應(yīng)用中的二維材料,如石墨烯和 MXenes,過渡金屬及其化合物也是熱門研究對象,包括鐵磁性過渡金屬和過渡金屬二硫化物等。


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