※功率半導(dǎo)體器件是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件。
主要用途包括逆變、變頻等。受惠于5G及電動車需求的顯著增長，我們對功率半導(dǎo)體的市場發(fā)展持樂觀看法。本文重點討論IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進和應(yīng)用驅(qū)動下迎來新一輪發(fā)展機遇。
※IGBT是新能源汽車電機控制系統(tǒng)和充電樁的核心器件。
IGBT約占新能源汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)及車載充電系統(tǒng)成本的40%，折合到整車上約占總成本的7——10%，它的性能決定了整車的能源利用率。IGBT多應(yīng)用于高壓領(lǐng)域，MOSFET主要應(yīng)用在高頻領(lǐng)域。
※SiC主要用于實現(xiàn)電動車逆變器等驅(qū)動系統(tǒng)的小量輕化。
SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于，降低能量損耗、更易實現(xiàn)小型化和更耐高溫。SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
※我們建議重點關(guān)注5G應(yīng)用所帶來的RFGaN市場機遇。
5G對于更高數(shù)據(jù)傳輸速率的要求推動了基站部署的PA轉(zhuǎn)換為GaN。另外，在5G的關(guān)鍵技術(shù)MassiveMIMO中，大量的陣列天線需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元，所以射頻器件的使用數(shù)量將明顯增加。
※我們通過測算IGBT/SiC的新能源汽車市場供需量推測其增量空間。
我們認為IGBT的增量空間巨大。SiC市場可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能的動力之一來源于新能源汽車。
※我們看好新能源汽車中功率半導(dǎo)體成分的增長。
根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計，一輛傳統(tǒng)燃料汽車的電機驅(qū)動系統(tǒng)中功率半導(dǎo)體的價值為17美元，而一輛純電動汽車中價值為265美元，增加了近15倍。新能源汽車為功率半導(dǎo)體帶來了極大的增長潛力。電力基礎(chǔ)設(shè)施的升級和便攜式移動設(shè)備對高能效電池的需求也推動了功率半導(dǎo)體市場的增長。
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