首先是在射頻芯片方面，中國(guó)已有多家芯片企業(yè)如富滿電子等研發(fā)5G射頻芯片并已進(jìn)入量產(chǎn)階段，5G射頻芯片是國(guó)產(chǎn)5G手機(jī)的關(guān)鍵芯片之一，此前該類芯片主要由美國(guó)和日本所壟斷，正是因?yàn)檫@種原因?qū)е氯A為推出的P50 Pro在采用了集成5G基帶的麒麟9000后卻無(wú)法支持5G。

　　在電源芯片方面，華為早已實(shí)現(xiàn)電源芯片自主研發(fā)，在它的手機(jī)上采用了自主研發(fā)的電源芯片;去年以來(lái)國(guó)產(chǎn)手機(jī)四強(qiáng)中的小米、OPPO、vivo等也已研發(fā)出ISP芯片，以自研ISP芯片取代外國(guó)芯片，增強(qiáng)了拍照能力;小米、OPPO還在快充芯片方面取得了突破。

　　在手機(jī)芯片方面，華為由于眾所周知的原因無(wú)法生產(chǎn)之后，國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片另一代表企業(yè)紫光展銳在快速崛起，早前counterpoint公布的數(shù)據(jù)顯示紫光展銳在2021年的出貨量取得數(shù)倍增長(zhǎng)，已取得一成多市場(chǎng)份額，由此超越三星位居全球手機(jī)芯片市場(chǎng)第四名。

　　近期在傳出Intel、三星、臺(tái)積電等聯(lián)合成立“小芯片聯(lián)盟”，將推出一種chiplet芯片互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)Ucle;這方面其實(shí)中國(guó)早已有準(zhǔn)備，已制定chiplet標(biāo)準(zhǔn)草案，預(yù)計(jì)年底前推出，此舉對(duì)于中國(guó)芯片行業(yè)更是具有積極意義。

　　chiplet標(biāo)準(zhǔn)其實(shí)早在數(shù)年前就已開(kāi)始討論，主要是考慮到芯片制造工藝的研發(fā)難度越來(lái)越高，如今的芯片制造工藝即將量產(chǎn)3納米，即將達(dá)到極限，而且越先進(jìn)的工藝成本就越高，因此芯片行業(yè)探討在芯片封裝技術(shù)方面進(jìn)行創(chuàng)新，以成熟工藝提升性能，chiplet標(biāo)準(zhǔn)正是由此而來(lái)。

　　此前chiplet標(biāo)準(zhǔn)僅僅是探討，但是今年蘋(píng)果推出的M1 ultra和臺(tái)積電與英國(guó)芯片企業(yè)合作采用3D WOW技術(shù)將chiplet標(biāo)準(zhǔn)變成現(xiàn)實(shí)。蘋(píng)果的M1 ultra是將兩顆M1芯片已特殊的方式連接在一起，性能得到大幅提升，擊敗了Intel的12代i9處理器;臺(tái)積電為英國(guó)一家AI芯片公司Graphcore以7納米生產(chǎn)的一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow，以3D WOW封裝技術(shù)封裝卻提升了40%的性能，性能提升幅度比5納米工藝還要高。

　　中國(guó)推出chiplet標(biāo)準(zhǔn)可以利用現(xiàn)有的成熟工藝大幅提升芯片性能，其實(shí)這種方式在去年曾被華為提出，當(dāng)時(shí)傳華為的雙芯堆疊技術(shù)可以國(guó)內(nèi)投產(chǎn)的14納米工藝生產(chǎn)芯片進(jìn)行堆疊后將性能提升到接近7納米，如此就突破了當(dāng)下受限于EUV光刻機(jī)而無(wú)法投產(chǎn)7納米及更先進(jìn)工藝的問(wèn)題。

　　如今蘋(píng)果和臺(tái)積電的做法都驗(yàn)證了芯片堆疊技術(shù)，并且Intel、三星、臺(tái)積電等將成立“小芯片聯(lián)盟”進(jìn)一步推動(dòng)芯片封裝技術(shù)，無(wú)疑證明了芯片堆疊技術(shù)的可行性，這將有利于中國(guó)的芯片企業(yè)利用現(xiàn)有的芯片工藝生產(chǎn)出性能更先進(jìn)的芯片，打破芯片制造工藝受限的問(wèn)題。

　　可以說(shuō)這兩年發(fā)生的事情，促使中國(guó)芯片行業(yè)想方設(shè)法積極利用現(xiàn)有的技術(shù)打破外國(guó)芯片的技術(shù)壟斷，充分發(fā)揮了國(guó)內(nèi)芯片的積極性，可以預(yù)期未來(lái)中國(guó)芯片行業(yè)將在更多芯片行業(yè)突破，取得更大的進(jìn)步。