布局光伏PIM模塊產品,核心專利為客戶提供最高效率及可靠性

時間:2022-05-30

來源:北一半導體科技(廣東)有限公司

導語:光伏逆變器在全球不斷擴大的新能源領域扮演著關鍵角色,其性能影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。PIM(功率集成)模塊是光伏逆變器的核心部件,通過控制其內部各個功率器件輪流導通和關斷,再經由變壓器藕合升壓或降壓,最終實現直流和交流之間的轉換。

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  布局光伏PIM模塊產品

  核心專利為客戶提供最高效率及可靠性

  光伏逆變器在全球不斷擴大的新能源領域扮演著關鍵角色,其性能影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。PIM(功率集成)模塊是光伏逆變器的核心部件,通過控制其內部各個功率器件輪流導通和關斷,再經由變壓器藕合升壓或降壓,最終實現直流和交流之間的轉換。

  應用中,為盡可能地降低開關器件的損耗,PWM(脈寬調制)控制策略使上橋臂開關管頻率設定為電網頻率(例如50hz),而下橋臂開關管則工作在較高的開關頻率下,來實現輸出正弦波。這樣的工作模式對全橋逆變中上下開關管的性能要求不同,上橋臂應用工況與Si IGBT匹配,下橋臂應用工況與SiC MOSFET匹配。典型模塊及電路拓撲如下所示。

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圖 典型模塊結構及電路拓撲

  Si IGBT與SiC MOSFET的特性如下表所示。

表 Si IGBT與SiC MOSFET的特性

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  基于上述兩種芯片的特性差異及典型失效原因,北一半導體針對Si IGBT/SiC MOSFET混合封裝的PIM模塊提出了一種獨特的直接敷銅板(DBC)設計,以增強模塊可靠性,降低芯片失效。

表 發(fā)明的DBC結構

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  設計針對上述Si IGBT與SiC MOSFET芯片特點進行,在Si IGBT/SiC MOSFET混合封裝PIM模塊DBC中采用不同厚度的銅層解決上述芯片應用中存在的問題。其中Si IGBT芯片采用薄銅層降低芯片熱阻,降低芯片工作結溫。SiC MOSFET芯片采用厚銅層提高熱容,降低SiC MOSFET芯片短路時芯片溫度,提高SiC MOSFET芯片短路時間。

  該方式不需調整模塊封裝工藝,同時不用厚度、結構的DBC可由廠商直接提供,可實施強。

  北一半導體將持續(xù)關注光伏、新能源汽車、風電等領域對IGBT模塊產品的需求,通過持續(xù)創(chuàng)新為客戶提供最佳的產品效率及可靠性。

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