當?shù)貢r間4月11日，為增加IGBT等功率半導體產(chǎn)品產(chǎn)能，日本半導體大廠瑞薩電子正式重啟此前已經(jīng)關(guān)閉的甲府工廠。
瑞薩電子表示，因看好不斷增長的電動汽車(EV)市場需求，為了增加功率半導體產(chǎn)能，已重啟甲府工廠，并于當日舉行了開幕典禮。
資料顯示，在2014年停止運營之前，甲府工廠擁有6英寸和8英寸晶圓產(chǎn)線。2022年5月，為了應對日益增長的功率半導體需求，瑞薩電子宣布重新啟用該工廠。
2022年，瑞薩電子對該工廠進行了價值900億日元的投資，并導入功率半導體專用的12英寸產(chǎn)線。
瑞薩電子表示，此次重啟進行試產(chǎn)等作業(yè)后，甲府工廠將在2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)IGBT和MOSFET等功率半導體產(chǎn)能，使瑞薩電子目前的功率半導體產(chǎn)能翻一番。
當前，在消費電子、5G通訊、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心以及光伏等產(chǎn)業(yè)需求的不對推動下，碳化硅、氮化鎵等第三代化合物半導體市場規(guī)模開始爆發(fā)。
全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前的調(diào)查顯示，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
氮化鎵方面，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長至13.3億美金，復合增長率高達65%。集邦咨詢預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。
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