晶飛半導體成功實現(xiàn)12英寸碳化硅晶圓剝離
導語:9 月 9 日消息,中國科學院半導體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發(fā)的激光剝離設備實現(xiàn)了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。
9 月 9 日消息,中國科學院半導體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發(fā)的激光剝離設備實現(xiàn)了 12 英寸
(300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。
這一技術突破解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸,打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷,有利于 12 英寸 SiC
晶圓的商業(yè)化。而面積更大的 SiC 晶圓意味著更低的晶邊損失和更大規(guī)模的一次處理能力,單位芯片成本能較 6 英寸晶圓降低 30%~40%。
傳動網(wǎng)版權與免責聲明:
凡本網(wǎng)注明[來源:傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權均為傳動網(wǎng)(www.surachana.com)獨家所有。如需轉(zhuǎn)載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉(zhuǎn)載使用時須注明來源“傳動網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權屬于原版權人。轉(zhuǎn)載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負版權法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
下一篇:
上半年中國AI云市場規(guī)模達223億元
上半年中國AI云市場規(guī)模達223億元