SuVolta公司，前身名為DSM Solutions的新興公司，近期透露了關(guān)于該公司計劃通過采用互補結(jié)FET技術(shù)實現(xiàn)低功耗IC運行的一些細節(jié)。
      SuVolta公司的CTO－－Ashok Kapoor于不久前在英國哥倫比亞省惠斯勒市舉行的2010 CMOS新興技術(shù)研討會上進行了發(fā)言。在這種情況下，CMOS面向通信、微系統(tǒng)、光電產(chǎn)品和傳感器。Kapoor的演講題目分別是“采用互補JFET的VLSI”和“用于實現(xiàn)極低功耗的JFET技術(shù)”。橫向結(jié)FET和MOSFET不同之處在于，前者采用反向偏置P-N結(jié)來將柵極與晶體管的襯底隔離，而不是一個絕緣層。并且其溝道摻雜與其源極和漏極的摻雜完全相同，在提出的結(jié)少納米線晶體管中產(chǎn)生類似的動作。
      Kapoor是成立于2005年的DSM Solutions公司的創(chuàng)始人之一。該公司籌集到2,500萬美元，從那以后，由董事長Bill Joy和Andy Rappaport分別代表風險投資Kleiner Perkins Caufield& Byers公司和August Capital公司的利益。在2009年12月SuVolt 公司（當時該公司已更名為SuVolta）籌集到300萬美元，由芯片封裝公司Tessera Technologies的前董事長、總裁兼CEO總裁Bruce McWilliams作為CEO加入。SuVolta公司已經(jīng)獲得了一系列將JFET技術(shù)用于實現(xiàn)低功耗邏輯、內(nèi)存和信號傳送的專利。
      在惠斯勒的發(fā)言中，Kapoor提出采用雙柵極JFET，因為它有一個接近理想的亞閾值擺幅。他給出了采用60nm柵極的NFET和PFET結(jié)構(gòu)的尺寸量測。
      Kapoor還展示了利用基于體硅的互補JFET構(gòu)造出的99級環(huán)路振蕩器的結(jié)果。他還討論了高p-井的電容的不足，和由于面積的不足導(dǎo)致了為在體硅中實現(xiàn)JFET而隔離晶體管。Kapoor提出的解決方案是在硅絕緣體（SOI）基板搭建立互補JFET。
      Kapoor在其惠斯勒的演講中總結(jié)到：“隨后，在SOI上用JFET產(chǎn)生功能性邏輯電路也得到了驗證?！彼偨Y(jié)說：“JFET操作已被仿真用于溝道長度低于于20nm，有合理的Ion/Ioff比，電源電壓為0.5V，這使得其成為更短尺寸的備選。”
      最近上任的市場營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁Jeff Lewis表示，SuVolta公司正在“開發(fā)一系列能夠顯著降低半導(dǎo)體功率消耗的技術(shù)和方法”。Lewis還告訴EE Times記者：“我們沒有打算生產(chǎn)我們自己的芯片;而是計劃將技術(shù)提供給其它公司，這樣他們可以用到自己的產(chǎn)品中。”