近期參加了LED與化合物行業(yè)內(nèi)的各項(xiàng)論壇，現(xiàn)將參展感悟以及相關(guān)分析匯編成報(bào)告。通過(guò)參會(huì)，我們更加加深了對(duì)產(chǎn)業(yè)及相關(guān)上市公司的認(rèn)知。
LED：新型襯底與MicroLED是發(fā)展新動(dòng)力在行業(yè)經(jīng)歷瘋狂之后，LED產(chǎn)業(yè)逐步平穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、產(chǎn)能過(guò)剩、新技術(shù)挑戰(zhàn)等等因素都使得深耕LED的產(chǎn)業(yè)人士，特別是處于LED最大市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)家、專家不得不尋找產(chǎn)業(yè)的新增長(zhǎng)點(diǎn)——尋找優(yōu)良的襯底技術(shù)與發(fā)展MicroLED。在襯底技術(shù)方面，硅襯底材料的出現(xiàn)是結(jié)合了導(dǎo)熱性、成本低、工藝成熟等優(yōu)勢(shì)的融合。發(fā)展硅襯底技術(shù)能進(jìn)一步推動(dòng)LED照明技術(shù)革新。
MicroLED為L(zhǎng)ED技術(shù)的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代趨勢(shì)帶動(dòng)下，MicroLED成為平板顯示界的新熱點(diǎn)。
化合物半導(dǎo)體是未來(lái)核心材料從2000年開(kāi)始，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)逐步擴(kuò)大，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵、碳化硅為首的半導(dǎo)體材料應(yīng)用增多。第三代半導(dǎo)體是以GaN、Sic與ZnO，由于其極高的光電轉(zhuǎn)化效率，多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應(yīng)用范圍主要在中低功率產(chǎn)品，相關(guān)機(jī)構(gòu)由此預(yù)估，氮化鎵半導(dǎo)體材料在2015年2021年期間成長(zhǎng)率達(dá)到83％，其中電源應(yīng)用占比較大，達(dá)到近60％；相比而言，碳化硅由于市場(chǎng)空間小，成長(zhǎng)相對(duì)緩慢，成長(zhǎng)率在21％左右。全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費(fèi)電子領(lǐng)域有極大市場(chǎng)。我國(guó)作為相關(guān)器件的消費(fèi)大國(guó)，通過(guò)提升制造能力，正以全新姿態(tài)往化合物半導(dǎo)體方向布局。
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