據(jù)中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22)，并且完成該廠2nm營運團(tuán)隊建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認(rèn)為，臺積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。
報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。
此前據(jù)TechNews消息，臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中中科)和南部(高雄楠梓)都有重大投資，興建2nm工廠。
據(jù)了解，新竹寶山廠第一廠初期月產(chǎn)能約達(dá)3萬片;高雄廠則計劃在寶山廠量產(chǎn)隔年也著手2納米強化版N2P的量產(chǎn)作業(yè)，初期規(guī)劃月產(chǎn)能也會在2萬片以上。
臺積電在2nm制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管，同時制造過程仍依賴于極紫外線(EUV)光刻技術(shù)，原計劃2024年末將做好風(fēng)險生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大量生產(chǎn)，客戶在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。
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