光刻機(jī)大廠ASML宣布，與韓國(guó)三星電子簽署備忘錄，將共同投資1萬(wàn)億韓元在韓國(guó)建立研究中心，并將利用下一代極紫外(EUV)光刻機(jī)研究先進(jìn)半導(dǎo)體制程技術(shù)。
值得一提的是，上個(gè)月初有消息表示，三星電子在五年內(nèi)從ASML采購(gòu)50套設(shè)備，每套單價(jià)約為2000億韓元，總價(jià)值可達(dá)10萬(wàn)億韓元。
三星電子于2022年6月推出了全球首個(gè)采用全柵極(GAA)技術(shù)的3納米半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)后，三星一直在努力確保能采購(gòu)更多EUV光刻機(jī)，目標(biāo)是使該公司能在2024年上半年進(jìn)入第二代3納米制程技術(shù)，2025年進(jìn)入2納米制程技術(shù)，并在2027年進(jìn)入1.4納米半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域。
正因如此，三星集團(tuán)董事長(zhǎng)李在镕在2022年6月訪問(wèn)了ASML總部，與ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Bennink討論了EUV的采購(gòu)問(wèn)題，并在同年11月與訪問(wèn)韓國(guó)的Peter Bennink進(jìn)行了進(jìn)一步會(huì)談。鑒于EUV光刻機(jī)從下訂到交貨的時(shí)間至少需要一年，當(dāng)時(shí)的會(huì)面討論開(kāi)始在現(xiàn)在開(kāi)花結(jié)果。
另外，先前ASML也曾經(jīng)表示，計(jì)劃在2023年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻機(jī)，并在2025年量產(chǎn)出貨。這使得自2025年開(kāi)始，客戶(hù)就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。目前，預(yù)估 High-NA EUV 曝光季將會(huì)有五大客戶(hù)，包括英特爾、臺(tái)積電、三星、美光等。
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