英飛凌科技推出高功率LDMOS晶體管

時間:2009-06-19

來源:中國傳動網(wǎng)

導(dǎo)語:英飛凌科技(Infineon TEchnologies)于美國波士頓所舉辦的IEEEMTT-S國際微波技術(shù)研討會(International Microwave Symposium)上宣布推出可供設(shè)計寬頻無線網(wǎng)絡(luò)基站的高功率LDMOS晶體管系列產(chǎn)品。

英飛凌科技(Infineon TEchnologies)于美國波士頓所舉辦的IEEEMTT-S國際微波技術(shù)研討會(International Microwave Symposium)上宣布推出可供設(shè)計寬頻無線網(wǎng)絡(luò)基站的高功率LDMOS晶體管系列產(chǎn)品。 新型晶體管的功率位準高達300W,視頻頻寬超過90MHz,完全支持由3G發(fā)展為4G無線網(wǎng)絡(luò)所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格。 新型晶體管系列產(chǎn)品所提供的高增益及高功率密度,優(yōu)于在1.4-2.6GHz行動頻帶中運作的其它裝置。如此將可使用體積減少30%的套件,設(shè)計更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助于設(shè)計Doherty放大器,以及減少其它架構(gòu)中的零件數(shù)量。 這批新型晶體管以雙載波WCDMA訊號(2170MHz、30V、8dBPAR及3.84MHz信道頻寬)所測得的效能為50W平均功耗、18dB增益,效率28%(使用230W的P-1dB輸出功率晶體管)。300W(P-1dB)裝置于相同應(yīng)用條件下,所測得的效能為65W平均功率、18dB增益,效率28%。 所有新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝,供螺栓式(bolt-down)或無耳式(earless)安裝。這些產(chǎn)品皆無鉛并符合ROHS規(guī)格。前六種產(chǎn)品的樣品目前已可供貨。
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